反应离子刻蚀系统

莎姆克RIE-10NR基于丰富的实践经验的基础上开发研制的干法刻蚀设备。 

使用本设备对Si、Poly-Si、SiO2、Si3N4等硅膜以及GaAs等化合物半导体进行刻蚀，

可得到刻蚀界面好、选择比高的良好效果。

同时，RIE-10NR是由电脑控制和管理各种刻蚀条件的高性能反应离子刻蚀设备。 

特 点    

 ● 材料间选择比高，刻蚀精度高。        

 ● 电脑控制，全自动运转，工艺参数可保存。

 ● 可对应较大为８英寸的样品。 

 ● 价格低廉，运转成本低。 

 ● 高速排气。 

 ● 体积小，占用空间少。 

规 格       

反应室    铝制，?340mm 

样品台    铝制，?240mm，水冷方式 

RF电源    13.56MHz，300W，        水晶震动，自动匹配 

排气系统   涡轮分子泵+旋转泵  自动控压器 

真空计    全域真空计（105－5×10-7Pa）        

薄膜真空计（2.66×102－2.66×10-2Pa） 

气体导入系统 质量流量计（标准两系统） 

操作系统   触屏方式 

尺寸     500(W)×920(D)×1510(H) mm